Globalfoundries taglia il traguardo dei 250 mila wafer a 32nm

Globalfoundries ha annunciato che lo stabilimento Fab 1 di Dresda ha consegnato 250 mila wafer semiconduttori basati su tecnologia High-K Metal Gate a 32 nanometri. A titolo di riferimento le consegne a 32 nanometri per i primi cinque trimestri di produzione ammontano a più del doppio di quanto ottenuto durante lo stesso periodo nel quale Globalfoundries ha dato il via alla produzione a 45 nanometri

"AMD e Globalfoundries hanno lavorato a stretto contatto durante il 2011 e l'annuncio di oggi testimonia il progresso fatto insieme" ha dichiarato il CEO di AMD Rory Read. "In appena un trimestre siamo stati capaci di vedere rese più che raddoppiate sui 32nm, permettendoci di terminare il 2011 eccedendo i nostri requisiti di consegne per prodotti a 32 nanometri. Sulla base di ciò siamo impegnati a proseguire con Globalfoundries anche con i 28 nanometri".

Presso la Fab 1 situata a Dresda, Globalfoundries ha da poco completato la costruzione stabilimento aggiuntivo per la produzione di wafer in silicio, con lo scopo di incrementare la capacità produttiva per i processi a 45 nanometri ed inferiori, portando l'output complessivo della Fab 1 a 80 mila wafer al mese una volta raggiunta la piena produzione. L'espansione aggiunge oltre 10 mila metri quadrati di camere bianche, rendendo la Fab 1 la più grande realtà europea nel campo della produzione di wafer in silicio. Oltre il 50% della produzione della Fab 1 è basata su tecnologia HKMG.

"All'inizio del 2011 abbiamo fronteggiato sfide importanti sulle rese di produzione per i 32nm HKMG" ha dichiarato il CEO di globalfoundries Ajit Manocha. "Abbiamo condotto diverse variazioni dal punto di vista organizzativo ed operativo nella seconda metà dell'anno che hanno portato ad un notevole incremento incremento nella velocità di produzione e nelle rese. Dal momento che la nostra tecnologia a 28nm utilizza la stessa implementazione HKMG dei 32 nanometri, AMD e gli altri clienti non potranno che beneficiare dei nostri progressi nella produzione ad elevati volumi delle APU a 32 nanometri".