STM con GlobalFoundries per il processo FDSOI a 28nm e 20nm

STMicroelectronics ha annunciato di aver siglato un accordo con GlobalFoundries per la fornitura di dispositivi logici realizzati utilizzando la tecnologia Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) a 28 nanometri e 20 nanometri. L'accordo prevede inoltre l'apertura da parte di STM del proprio processo FDSOI lasciando così la possibilità a GlobalFoundries di offrirlo ad altri clienti.

L'istituto di ricerca Leti, il produttore di wafer Soitec e IBM hanno lavorato in qualità di partner con STMicroelectronics nello sviluppo del processo FDSOI. STM ha deciso di accogliere anche GlobalFoundries tra i propri partner, aggiungendo così maggior capacità produttiva oltre a quella possibile con la propria linea pilota di Crolles, in Francia.

La disponbilità di dispositivi logici in alti volumi, realizzati con il processo FDSOI, consentirà di realizzare soluzioni mobile ad elevate prestazioni e basso consumo. Il processo FDSOI a 28 nanometri sarà disponibile per la prototipazione già nel corso del prossimo mese di luglio, mentre la versione a 20 nanometri è attualmente in fase di sviluppo e sarà pronta per il terzo trimestre del 2013.

Joel Hartmann, corporate vice president per STMicroelectronics, ha commentato: "Il processo FDSOI è ideale per le applicazioni wireless e tablet, grazie alla possibilità di offrire benefici usando le convenzionali tecnologie planari, e questo accordo con GlobalFoundries assicura ai nostri clienti una fonte sicura di approviggionamento". Nei transistor realizzati con processo FDSOI il canale di conduzione che si forma tra la sorgente ed il pozzo è confinato sullo strato di silicio ultrasottile al di sotto della porta e al si sopra dell'ossido sepolto.