TSMC avvia nel 2013 la risk production per il processo 16nm FinFET

La fonderia taiwanese TSMC ha deciso di avviare la risk production con il processo FinFET a 16 nanometri già nel corso del 2013, con la prospettiva di poter dare il via alla produzione commerciale in anticipo rispetto al previsto. A riportare la notizia è il sito web XbitLabs.

Sottolineando come TSMC sia pronta per la produzione di semiconduttori impiegando processi all'avanguardia, il CEO della compagnia, Morris Chang, ha affermato: "Sembra che vi siano ancora 7-8 anni di progresso dinnanzi a noi, forse qualcosa in più. Potremmo vedere la tecnologia arrivare ai 10nm e forse anche ai 7nm. La legge di Moore procede in avanti e saremo con lei se qualcuno la inseguirà, e noi la inseguiremo".

L'azienda taiwanese ha anticipato alla fine del 2013 i piani per la produzione iniziale di semiconduttori con processo a 16 nanometri FinFET. La mossa metterà TSMC in linea con il principale concorrente GlobalFoundries e con il suo processo 14nm-XM previsto per il 2013-2014.

L'offerta GlobalFoundries 14nm-XM è basata su una architettura modulare che fa uso di un elemento FinFET a 14nm abbinato ad un processo 20nm-LPM e interconnessioni BEOL (Back End Of Line). L'affidabilità del processo 20nm LPM consentirà di ottenere un rapido time to market e permetterà ai clienti di passare più velocemente alle nuove tecnologie per poter apprezzare i benefici delle tecnologie FinFET.

Chang ha inoltre espresso il desiderio di adottare la litografia di tipo extreme ultraviolet per la realizzazione dei chip a 10nm nel tardo 2015 e di proseguire con la ricerca con la litografia e-beam quale alternativa. Il CEO di TSMC, nonostante il difficile quadro economico generale, rimane comunque ottimista: "Le compagnie fabless dovrebbero poter registrare una crescita del 9% nell'anno in corso, e siamo ottimisti riguardo noi stessi, aspettandoci una crescita anche superiore al 10%".